集总的局部锯切工艺方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种在半导体晶片（４８）上局部锯切出诸纵横沟槽（５０）的工艺方法。锯切完后，诸沟槽（５０）可用一防护物加以覆盖，然后继续对晶片象先前那样进行工艺处理。在晶片（４８）被揿裂后，防护物（５２）可以被去除，也可以不必去除。此外，晶片（５０）可以用一上面带有许多劈刀（７２）的楔形片（７０）揿裂成单个芯片，其中单个劈刀（７０）压向局部锯切出的诸沟槽（５０），使晶片（４８）断裂。
基本信息
专利标题 ：
集总的局部锯切工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1105781A
申请号 ：
CN94101212.3
公开（公告）日 ：
1995-07-26
申请日 ：
1994-01-22
授权号 ：
CN1076516C
授权日 ：
2001-12-19
发明人 ：
迈克尔·Ａ·米尼亚尔蒂拉斐尔·Ｃ·阿尔法罗
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
孙敬国
优先权 ：
CN94101212.3
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2010-03-24 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-12-19 ：
授权
1997-02-26 ：
实质审查请求的生效
1995-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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