半导体的金属密封模
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种半导体的金属密封模，通过在收容部（４）和通道部（５）上设置突起物（８）、（９），可增大树脂的传热面积，对树脂进行充分加热、熔融，将低粘度的树脂没有压力损失地供至型腔成形，从而能防止由于加热不充分、流动阻抗大的树脂流入通道造成压向型腔的压力传递不足而产生不良成形，并能不延长成形周期，对树脂进行加热。$#!
基本信息
专利标题 ：
半导体的金属密封模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1108431A
申请号 ：
CN94102475.X
公开（公告）日 ：
1995-09-13
申请日 ：
1994-03-08
授权号 ：
CN1080932C
授权日 ：
2002-03-13
发明人 ：
阿部光浩山田三勇
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府门真市
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
张民华
优先权 ：
CN94102475.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/28 B29C45/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2008-05-07 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-06-19 ：
发明专利说明书更正
更正卷 : 18
号 : 11
页码 : 扉页
更正项目 : 第二发明人姓名
误 : 山田三勇
正 : 山田三男
号 : 11
页码 : 扉页
更正项目 : 第二发明人姓名
误 : 山田三勇
正 : 山田三男
2002-06-19 ：
发明专利公报更正
更正卷 : 18
号 : 11
页码 : 无
更正项目 : 第二发明人姓名
误 : 山田三勇
正 : 山田三男
号 : 11
页码 : 无
更正项目 : 第二发明人姓名
误 : 山田三勇
正 : 山田三男
2002-03-13 ：
授权
1997-05-28 ：
实质审查请求的生效
1995-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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