一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种可提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法。该方法是在GaN基半导体材料生长完成后进行，其步骤是向生长完成后的半导体材料注入离子，然后对注入离子后的半导体材料进行热处理。具体是对GaN基材料中的发光区域InGaN/GaN多量子阱层进行一定剂量的质子注入，然后采用快速热退火方式达到增加GaN基半导体材料发光效率的目的。本发明所需采用工艺均属目前微电子的常规工艺技术，实施方法简便。本发明有效地提高了GaN基半导体材料的发光性能，特别是蓝光二极管材料的发光效率，扩大了其在军事和民用等领域的应用范围。
基本信息
专利标题 ：
一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801499A
申请号 ：
CN200510095658.6
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈贵宾夏长生王少伟陆卫周均铭陈明法
申请人 ：
淮阴师范学院;上海蓝宝光电材料有限公司
申请人地址 ：
223001江苏省淮安市交通路71号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
陈静巧
优先权 ：
CN200510095658.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560123047
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100956586
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080709
终止日期 : 20121117
号牌文件序号 : 101560123047
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100956586
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080709
终止日期 : 20121117
2011-12-14 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101232905233
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005100956586
专利号 : ZL2005100956586
合同备案号 : 2011990000989
让与人 : 淮阴师范学院|上海蓝宝光电材料有限公司
受让人 : 上海永胜半导体设备有限公司
发明名称 : 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
申请日 : 20051117
公开日 : 20060712
授权公告日 : 20080709
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20111021
号牌文件序号 : 101232905233
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005100956586
专利号 : ZL2005100956586
合同备案号 : 2011990000989
让与人 : 淮阴师范学院|上海蓝宝光电材料有限公司
受让人 : 上海永胜半导体设备有限公司
发明名称 : 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
申请日 : 20051117
公开日 : 20060712
授权公告日 : 20080709
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20111021
2011-01-05 ：
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058499041
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005100956586
变更事项 : 发明人
变更前 : 陈贵宾;夏长生;王少伟;陆卫;周均铭;陈明法
变更后 : 陈贵宾;夏长生;王少伟;陆卫;周均铭;李刚
号牌文件序号 : 101058499041
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2005100956586
变更事项 : 发明人
变更前 : 陈贵宾;夏长生;王少伟;陆卫;周均铭;陈明法
变更后 : 陈贵宾;夏长生;王少伟;陆卫;周均铭;李刚
2008-07-09 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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