提高发光二极管发光效率的封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种提高发光二极管发光效率的封装结构,包括发光二极管芯片,固定发光二极管芯片的固定座,将发光二极管芯片封装在所述固定座上并折射光线的透明体;所述透明体外表面设有一层荧光粉层或者内部设有荧光粉夹层。本实用新型用来提高发光二极管的发光效率。相比现有技术,本实用新型将激发荧光的荧光粉层设在了透镜的内表面和外表面,可以减少发光二极管芯片发出的光的反射,有效地提高发光二极管的发光效率。
基本信息
专利标题 :
提高发光二极管发光效率的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720171898.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-20
授权号 :
CN201112411Y
授权日 :
2008-09-10
发明人 :
章稚青娄朝纲
申请人 :
深圳市企荣科技有限公司
申请人地址 :
518000广东省深圳市龙岗区布吉坂田龙壁工业城14栋4楼
代理机构 :
深圳市维邦知识产权事务所
代理人 :
杨金
优先权 :
CN200720171898.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00
法律状态
2013-11-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101535925221
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201718984
申请日 : 20070920
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20120920
号牌文件序号 : 101535925221
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201718984
申请日 : 20070920
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20120920
2012-05-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101349526874
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201718984
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市企荣科技有限公司
变更后权利人 : 惠州企荣发光材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市龙岗区布吉坂田龙壁工业城14栋4楼
变更后权利人 : 516000 广东省惠州市惠阳区良井镇北联村(银山工业区)
登记生效日 : 20120330
号牌文件序号 : 101349526874
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201718984
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市企荣科技有限公司
变更后权利人 : 惠州企荣发光材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市龙岗区布吉坂田龙壁工业城14栋4楼
变更后权利人 : 516000 广东省惠州市惠阳区良井镇北联村(银山工业区)
登记生效日 : 20120330
2008-09-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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