一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法
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摘要
本发明涉及一种可用于p型透明导体的层状结构化合物及其制备方法。本发明提供的材料组成为La5Cu6O4S7，具体地说，本发明是利用后过渡金属铜的外层电子能级与硫的3p轨道能级接近，形成强相互作用的[CuS]层，提高电荷迁移率达到改善导电性；同时，利用宽能隙的[LaO]层掺入上述的[CuS]层间适当改善其透明度。室温条件下，该材料的本征导电率可以达到104S/cm(单晶)和101S/cm(多晶)；800K以下，本发明材料可应用于p型透明导体及相关应用。本发明的设计思路独特，制备工艺简单，导电性能与n型透明导体接近并具有可见光区一定的透明度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794362A
申请号 ：
CN200510110067.1
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴历斌刘敏玲黄富强陈立东
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市定西路1295号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510110067.1
主分类号 ：
H01B1/00
IPC分类号 ：
H01B1/00 H01B1/08 H01B13/00 H01L31/0224 H01L31/18 B01J19/00 C30B29/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
法律状态
2009-06-10 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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