提高大功率MOS管源漏击穿的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种提高大功率MOS管源漏击穿的方法，其在现有工艺中的多晶硅回刻步骤之后增加了一个光刻和对大尺寸沟槽注入的步骤，通过单独对大尺寸沟槽注入反型的杂质，使该区域电阻率增大，从而改善该区域的源漏击穿特性。
基本信息
专利标题 ：
提高大功率MOS管源漏击穿的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979783A
申请号 ：
CN200510111297.X
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
缪进征张朝阳
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111297.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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