特高二次击穿的大功率晶体管
专利权的终止
摘要
本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种特高二次击穿的大功率晶体管。本实用新型的目的是这样实现的：在引线框上利用焊料浸润性优异的Sn96Ag4低温焊料焊接管芯，在引线框的下面引出位于左侧的基极、位于中间的集电极与位于右侧的发射极。本实用新型在关键的装片工艺中消除了热缺陷，消除了“空洞”，提高了焊料与框架的浸润性，从而制造出特高二次击穿的大功率晶体管。
基本信息
专利标题 ：
特高二次击穿的大功率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820040209.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-07-01
授权号 ：
CN201222494Y
授权日 ：
2009-04-15
发明人 ：
龚利汀钱晓平龚利贞
申请人 ：
无锡固电半导体股份有限公司
申请人地址 ：
214028江苏省无锡市新区新梅路68号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN200820040209.0
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2012-09-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101321955175
IPC(主分类) : H01L 23/488
专利号 : ZL2008200402090
申请日 : 20080701
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20110701
号牌文件序号 : 101321955175
IPC(主分类) : H01L 23/488
专利号 : ZL2008200402090
申请日 : 20080701
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20110701
2009-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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