大功率MOS器件防止钴污染的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种大功率MOS器件防止钴污染的方法，该方法在介质层涂胶时关闭正面的去边溶液滴管，降低机台转速，使正面光刻胶的边缘尽可能靠近硅片边缘；接触孔层光刻时仅对有效管芯区进行曝光。本发明通过上述方法，大大改善了对钴的控制，从而防止了钴污染的发生，提高了生产效率和产品质量。

基本信息

专利标题：

大功率MOS器件防止钴污染的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979785A

申请号：

CN200510111341.7

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

缪进征张朝阳张雷

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111341.7

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/027

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2021-11-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20201209

2014-01-15 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101685703845
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101113417
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

2008-12-24 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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