可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构
授权
摘要
本实用新型提供一种可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构，所述GaN晶元包括GaN外延材料结构，所述GaN外延材料结构包括衬底以及形成于所述衬底上的功能层，于所述GaN外延材料结构的所有外表面覆盖了外表层，所述外表层为低压等离子SiNx。本实用新型在工艺加工过程中，防止了GaN晶元与生产线交叉感染。
基本信息
专利标题 ：
可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020472202.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN211455673U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
刘春利
申请人 ：
深圳镓华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
代理机构 ：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐玲玲
优先权 ：
CN202020472202.7
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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