减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的电荷的方法，此方法是先提供衬底，再在衬底上形成一层导电光致抗蚀剂图案，以暴露部分衬底，并以导电光致抗蚀剂图案为掩模，对衬底进行离子注入工艺，以于衬底中形成数个掺杂区。然后，移除导电光致抗蚀剂图案。由于利用导电光致抗蚀剂图案将累积的电荷传导出去，所以能够避免因电荷累积于芯片表面而发生的火山效应。
基本信息
专利标题 ：
减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949462A
申请号 ：
CN200510113380.0
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施惠绅黄宽益
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113380.0
主分类号 ：
H01L21/266
IPC分类号 ：
H01L21/266 H01L21/331 H01L21/8228 G03F7/004
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
H01L21/266
应用掩膜的
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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