高压设备中的静电放电保护

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种ESD器件，包括连接到第一触点上的低掺杂阱，和连接到第二触点上的扩散区。低掺杂阱和扩散区之间的基体的掺杂物极性与低掺杂阱和扩散区的掺杂物极性相反。低掺杂阱和扩散区之间的距离决定了ESD器件的触发电压。当向ESD设备施加反偏压时，低掺杂阱与基体之间形成损耗区。当反偏压促使损耗区与扩散区开始接触时，第一触点与第二触点之间形成电流放电路径。通过连接到第二触点上，基体被偏置。选择性地，掺杂物极性相同的附加扩散区连接到第三触点上，使基体偏置。

基本信息

专利标题：

高压设备中的静电放电保护

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819183A

申请号：

CN200510131784.2

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

艾格尼丝·N·伍

申请人：

美国博通公司

申请人地址：

美国加州

代理机构：

深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人：

蔡晓红

优先权：

CN200510131784.2

主分类号：

H01L23/60

IPC分类号：

H01L23/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/58

其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置

H01L23/60

防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏

法律状态

2019-09-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/60
登记生效日 : 20190828
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 安华高科技通用IP（新加坡）公司
变更后权利人 : 安华高科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 新加坡新加坡市
变更后权利人 : 新加坡新加坡市

2018-05-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/60
登记生效日 : 20180508
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美国博通公司
变更后权利人 : 安华高科技通用IP（新加坡）公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加州
变更后权利人 : 新加坡新加坡市

2009-02-04 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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