光刻用防护胶膜组件及防护胶膜框架
授权
摘要
本发明提供一种防护胶膜组件，其能够有效防止在持续短波长化的光刻工艺中，掩模基板上雾霭(haze)的产生。本发明的光刻用防护胶膜组件1由防护胶膜框架2，及在该框架的一端面贴附的防护胶膜膜片3所构成，构成光刻用防护胶膜组件的该防护胶膜框架的特征为：对该框架铝合金表面进行阳极氧化处理而形成，且其硫酸根离子、硝酸根离子、氯离子以及有机酸(乙二酸、蚁酸及醋酸的总量)各自的含有量为：将该框架浸泡于25℃的100毫升纯水中168小时后，该框架每100平方厘米表面积的溶出浓度，均在1.1ppm以下。
基本信息
专利标题 ：
光刻用防护胶膜组件及防护胶膜框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797215A
申请号 ：
CN200510135708.9
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永田爱彦
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510135708.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-10-21 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100552548C.PDF
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2、
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