用于光刻设备的防护膜隔膜
公开
摘要
提供了一种用于光刻设备的防护膜隔膜，所述隔膜包括未被覆盖的碳纳米管。还提供一种再生防护膜隔膜的方法，所述方法包括分解前体化合物，并且将至少一些分解产物沉积到防护膜隔膜上。还提供一种降低防护膜隔膜的蚀刻速率的方法，所述方法包括在防护膜隔膜的区域中提供电场以将来自防护膜的离子重新导向，或提供加热元件以将来自防护膜的自由基脱附，优选地，其中，防护膜隔膜为碳纳米管式防护膜隔膜；以及还提供一种用于光刻设备的组件，所述组件包括邻近防护膜隔膜的偏压电极或者包括防护膜隔膜或者用于防护膜隔膜的加热装置。
基本信息
专利标题 ：
用于光刻设备的防护膜隔膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114286965A
申请号 ：
CN202080059811.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·尼基帕罗夫S·伯恩特松V·Y·班尼恩A·多尔戈夫因奇·唐梅兹诺扬Z·S·豪厄林A·W·诺藤布姆M·A·范德柯克霍夫T·W·范德伍德保罗·亚历山大·维梅伦D·F·弗莱斯V·沃罗尼纳哈利勒·戈凯·叶根
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张启程
优先权 ：
CN202080059811.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F1/62
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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