用于EUV光刻术的隔膜
授权
摘要
公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。
基本信息
专利标题 ：
用于EUV光刻术的隔膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109154771A
申请号 ：
CN201780025510.6
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2017-04-12
授权号 ：
CN109154771B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
M·A·纳萨莱维奇E·A·阿贝格N·班纳吉M·A·布劳德克·S·G·布龙保罗·詹森M·可鲁依宁嘉E·兰德林克N·马克西姆A·尼基帕罗夫A·W·诺滕博姆C·彼烈戈M·彼得G·里斯朋斯N·舒M·A·范德柯克霍夫威廉·琼·范德赞德彼得-詹·范兹沃勒A·W·弗尔堡J·P·M·B·沃缪伦D·F·弗莱斯W-P·福尔蒂森A·N·兹德拉夫科夫
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王静
优先权 ：
CN201780025510.6
主分类号 ：
G03F1/24
IPC分类号 ：
G03F1/24 G03F1/62 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
G03F1/24
反射掩膜；其制备
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-05-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/24
申请日 : 20170412
申请日 : 20170412
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN109154771A.PDF
PDF下载
