用于EUV光刻的底层
公开
摘要
提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板，也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜层由可旋涂的聚合组合物形成。本发明的方法提高了粘附并减少或消除了图案塌陷问题。
基本信息
专利标题 ：
用于EUV光刻的底层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556528A
申请号 ：
CN202080073359.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁懿宸A·M·查克王玉宝D·J·格雷罗
申请人 ：
布鲁尔科技公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
刘多益
优先权 ：
CN202080073359.5
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/027 H01L21/02 C09D183/06 C08G77/14 G03F7/09
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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