热处理设备校准方法
授权
摘要
一种对包括加热装置并用于对多层基板进行热处理的热处理设备进行校准的方法。为了能优化校准方法同时使用更廉价材料,本发明的方法特征在于包括以下步骤:提供结构不同于多层基板的测试基板;使用一组热处理参数对测试基板进行热处理以在测试基板上得到具有厚度分布的层;将该厚度分布与校准测试基板上的校准层的预定厚度分布相比;以及修正该组热处理参数,使加热装置适于补偿该厚度分布与该预定厚度分布间的差异,其中校准测试基板上的校准层的预定厚度分布与多层基板上的层的均匀厚度分布(均利用同组预定处理条件获得)对应,或者与观察到多层基板上的减少的滑移线和/或减少的晶片变形的热处理条件对应。本发明还涉及产生校准厚度分布的方法,以及校准测试基板,其包括位于其主表面之一上的具有预定厚度分布的热形成层。
基本信息
专利标题 :
热处理设备校准方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1877791A
申请号 :
CN200510137816.X
公开(公告)日 :
2006-12-13
申请日 :
2005-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马琳·布拉
申请人 :
硅绝缘体技术有限公司
申请人地址 :
法国伯涅尼
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
黄纶伟
优先权 :
CN200510137816.X
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00 H01L21/324 H01L21/477
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-07-01 :
授权
2007-02-14 :
实质审查的生效
2006-12-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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