半导体热处理设备及其温度自校准方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体热处理设备及其温度自校准方法,设备包括:炉体、设置于炉体内的工艺管以及设置于工艺管内的晶舟,晶舟沿工艺管的轴向设有多个晶圆放置区,每个晶圆放置区能够放置多片待加工晶圆;内部测温件,沿工艺管的轴向设置于工艺管的内部边缘,沿内部测温件的一端至另一端间隔分布有多个测温点,每个测温点对应一个晶圆放置区,每个晶圆放置区用于放置测温晶圆和待加工晶圆,测温晶圆上设有晶圆测温件;控制单元,内部测温件和晶圆测温件分别与控制单元连接,控制单元用于根据晶圆测温件的温度对内部测温件上相应的测温点的温度进行校准,以使测温晶圆的温度等于设定温度。本发明可以实现对半导体热处理设备温度调控的精确自动校准。

基本信息
专利标题 :
半导体热处理设备及其温度自校准方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420601A
申请号 :
CN202210028560.2
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王建勋王玉霞彭宇
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京思创毕升专利事务所
代理人 :
孙向民
优先权 :
CN202210028560.2
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220111
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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