适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺
专利权的终止
摘要
本发明的各实施例用于改进的接触掺杂和退火系统以及工艺。在各实施例中，等离子体离子浸没式注入(PIII)可用于对基于纳米线和其它纳米元件的薄膜器件进行掺杂。根据本发明的其它实施例，可使用脉冲激光退火(所用激光能流相对较低，低于100mJ/cm2，例如小于约50mJ/cm2，例如，介于2－18mJ/cm2之间)对基板(比如低温柔性基板，例如塑料基板)上的基于纳米线和其它纳米元件的器件进行退火。
基本信息
专利标题 ：
适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101263078A
申请号 ：
CN200580039774.4
公开（公告）日 ：
2008-09-10
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Y·潘D·P·斯顿伯
申请人 ：
奈米系统股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱黎明
优先权 ：
CN200580039774.4
主分类号 ：
B82B1/00
IPC分类号 ：
B82B1/00 B82B3/00 H01L21/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B1/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构
法律状态
2015-12-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101639681864
IPC(主分类) : B82B 1/00
专利号 : ZL2005800397744
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20121226
终止日期 : 20141110
号牌文件序号 : 101639681864
IPC(主分类) : B82B 1/00
专利号 : ZL2005800397744
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20121226
终止日期 : 20141110
2012-12-26 ：
授权
2008-10-29 ：
实质审查的生效
2008-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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