COF基板用层合体及其制造方法以及使用该COF基板用层合...
专利权的终止
摘要

本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线,同时导体与绝缘层之间的粘接力高,耐电迁移性优异,可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体,是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体,其中导体的厚度为1~8μm,导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下,并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下,此外,本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法,其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层,对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1~8μm,同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

基本信息
专利标题 :
COF基板用层合体及其制造方法以及使用该COF基板用层合体形成的COF膜载带
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101076885A
申请号 :
CN200580041088.0
公开(公告)日 :
2007-11-21
申请日 :
2005-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
岸田克也岛田彰德田裕一财部妙子
申请人 :
新日铁化学株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
王健
优先权 :
CN200580041088.0
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  H05K1/03  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-11-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20191213
2020-01-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/60
登记生效日 : 20191213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 新日铁住金化学株式会社
变更后权利人 : 日铁化学材料株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京中央区日本桥一丁目13番1号
2013-07-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101627830593
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2005800410880
变更事项 : 专利权人
变更前 : 新日铁化学株式会社
变更后 : 新日铁住金化学株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2009-03-11 :
授权
2008-01-16 :
实质审查的生效
2007-11-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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