被分割体的分割起点形成方法、被分割体的分割方法以及用脉冲...
专利申请权、专利权的转移
摘要

提供适于被分割体的分割的起点形成方法,通过用激光照射被分割体的方式进行。用能量尚未达到以烧蚀作用形成刻划槽程度的激光,在其焦点从被分割体M的上表面向其内部散焦20μm~30μm的状态下,向被分割体M的所要分割部位进行照射。用吸收导致的急速加热和之后的急速冷却,形成具有细长剖面形状的变质区域T。切割处理能够实现该变质区域T的最下端部成为起点的良好切割。而且,若将在所使用激光的波长范围内激光吸收率比被分割体M更高的物质,预先赋予给所要分割的部位,则由于只有该部位的激光吸收率被提高,所以即使用本来不会产生吸收现象的弱脉冲能量的激光进行照射,也能够可靠地形成成为分割起点的变质区域。

基本信息
专利标题 :
被分割体的分割起点形成方法、被分割体的分割方法以及用脉冲激光加工被加工体的加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101073145A
申请号 :
CN200580042244.5
公开(公告)日 :
2007-11-14
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
长友正平栗山规由增尾纯一
申请人 :
雷射先进科技株式会社
申请人地址 :
日本京都府
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
高龙鑫
优先权 :
CN200580042244.5
主分类号 :
H01L21/301
IPC分类号 :
H01L21/301  B23K26/40  B23K26/00  B28D5/00  B23K26/06  B23K101/40  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分,例如分隔
法律状态
2010-11-10 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039788990
IPC(主分类) : H01L 21/301
专利号 : ZL2005800422445
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 雷射先进科技株式会社
变更后权利人 : 三星钻石工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本京都府
变更后权利人 : 日本国大阪府
登记生效日 : 20100928
2009-04-22 :
授权
2008-01-09 :
实质审查的生效
2007-11-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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