CIS型薄膜太阳能电池及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种CIS基薄膜太阳能电池和用于制造该CIS基薄膜太阳能电池的方法，其中在短时间中以低成本进行碱屏障层和金属背电极层的形成，以阻止光吸收层从光吸收层和金属背电极层的界面处脱离的不利现象。该CIS基薄膜太阳能电池(1)包括依次堆叠的玻璃基底(2)、例如硅石的无碱层(7)、具有叠层结构的金属背电极层(3)、p型CIS基光吸收层(4)、高阻缓冲层(5)和n型窗口层(6)。该层(7)单独或者与层(3)中的第一层(3a)一起用作碱屏障层，其在层(4)形成的过程中，阻止和控制碱组分从基底(2)到光吸收层中的热扩散。在层(3a)中，晶粒是精细的并且具有高密度。在基底上通过RF或DC溅射形成层(7)之后，通过DC溅射在层(7)之上连续地形成层(3)。
基本信息
专利标题 ：
CIS型薄膜太阳能电池及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076895A
申请号 ：
CN200580042513.8
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
栉屋胜巳田中良明小野寺胜田中学名古屋义则
申请人 ：
昭和砚壳石油株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580042513.8
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/04
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20111221
终止日期 : 20171209
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20111221
终止日期 : 20171209
2015-03-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101712406982
IPC(主分类) : H01L 31/04
专利号 : ZL2005800425138
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 昭和砚壳石油株式会社
变更后权利人 : 太阳能先锋株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20150217
号牌文件序号 : 101712406982
IPC(主分类) : H01L 31/04
专利号 : ZL2005800425138
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 昭和砚壳石油株式会社
变更后权利人 : 太阳能先锋株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20150217
2011-12-21 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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