用于亚微米光学光刻构图的透镜光纤阵列
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据许多实施例，提供了一种用于在光敏材料上写入图形的曝光系统。所述曝光系统可以包括波导管阵列和光调制器。所述波导管阵列可以包括用于将光聚焦在辐射敏感材料上的多条光纤。所述的光调制器对耦合进多条光纤内的光进行调制。示例性的曝光系统可以降低由于慧差和失真所导致的象差，并提供了改进的对准。
基本信息
专利标题 ：
用于亚微米光学光刻构图的透镜光纤阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088048A
申请号 ：
CN200580044584.1
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰罗姆·C·波尔奎
申请人 ：
3M创新有限公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580044584.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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