无基板的发光二极管及其制造方法
专利权的终止
摘要

一种无基板的发光二极管,包括磊晶层、导电性支撑层与第一接触垫。磊晶层包括第一型掺杂半导体层、发光层与第二型掺杂半导体层。发光层是位于第一型掺杂半导体层上,且暴露出部分的第一型掺杂半导体层;第二型掺杂半导体层是位于发光层上;导电性支撑层是位于第二型掺杂半导体层上;第一接触垫是位于发光层所暴露出的第一型掺杂半导体层上,且与第一型掺杂半导体层电连接。在此无基板的发光二极管中,其第一接触垫与作为电极的导电支撑层皆位于磊晶层的同侧,如此,即可避免电极遮光效应,以提高发光二极管的正面出光效率。

基本信息
专利标题 :
无基板的发光二极管及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101005106A
申请号 :
CN200610001629.3
公开(公告)日 :
2007-07-25
申请日 :
2006-01-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨建成萧志诚谢建文
申请人 :
财团法人工业技术研究院
申请人地址 :
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
薛平
优先权 :
CN200610001629.3
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2016-03-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650485188
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100016293
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090624
终止日期 : 20150118
2013-02-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101516994870
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100016293
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 财团法人工业技术研究院
变更后权利人 : 华新丽华股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号
变更后权利人 : 中国台湾桃园县杨梅市高狮路566-3号
登记生效日 : 20130116
2009-06-24 :
授权
2007-09-19 :
实质审查的生效
2007-07-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332