半导体材料基板、微型发光二极管面板及其制造方法
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摘要
本发明提供一种微型发光二极管面板的制造方法包括形成半导体材料基板、形成多个晶体管元件、将多个晶体管元件转移并接合至线路基板上以及将多个微型发光二极管元件自微型发光二极管元件基板转移至线路基板上。半导体材料基板包括载板、牺牲层、无机绝缘层以及半导体材料层。牺牲层位于载板与无机绝缘层之间，且半导体材料层通过无机绝缘层接合于牺牲层。半导体材料层的电子迁移率大于20cm2/V·s。多个晶体管元件设置于牺牲层上。多个晶体管元件电性连接线路基板，且多个微型发光二极管元件电性连接这些晶体管元件。一种微型发光二极管面板亦被提出。
基本信息
专利标题 ：
半导体材料基板、微型发光二极管面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110707119A
申请号 ：
CN201911029222.5
公开（公告）日 ：
2020-01-17
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN110707119B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李允立林子旸刘应苍吴志凌
申请人 ：
錼创显示科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区苗栗县竹南镇科西一路12号2楼
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗英
优先权 ：
CN201911029222.5
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/15
申请日 : 20191028
申请日 : 20191028
2020-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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