阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，其中阵列基板的制造方法包括：提供一基板，并在所述基板上制作形成栅电极；在所述栅电极上制作形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成。本申请通过将导电沟道和透明电极设在同一层上，导电沟道和透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成，从而减少了制作阵列基板时光罩的使用数量，降低了制作成本，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334813A
申请号 ：
CN202111633334.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴伟
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
莫胜钧
优先权 ：
CN202111633334.9
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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