以半导体硅加工技术制备的样品支架
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明的样品支架这样制备，把硅基层用作原材料，采用半导体硅加工技术制备具有一定形状并且厚度为10μm或更少的厚度结构。本发明的样品支架以样件不粘接的状态粘接到部分切去的筛网上。进一步，安装样品的多个部分设置在相同的基底上。
基本信息
专利标题 ：
以半导体硅加工技术制备的样品支架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1834608A
申请号 ：
CN200610073933.9
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岩崎浩二宗兼正直
申请人 ：
精工电子纳米科技有限公司
申请人地址 ：
日本千叶县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN200610073933.9
主分类号 ：
G01N1/06
IPC分类号 ：
G01N1/06 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/02
取样装置
G01N1/04
固体的，如采用切割
G01N1/06
制成薄片，如用切片机
法律状态
2014-08-06 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101703579058
IPC(主分类) : G01N 1/06
专利号 : ZL2006100739339
变更事项 : 专利权人
变更前 : 精工电子纳米科技有限公司
变更后 : 日本株式会社日立高新技术科学
变更事项 : 地址
变更前 : 日本千叶县
变更后 : 日本东京都
号牌文件序号 : 101703579058
IPC(主分类) : G01N 1/06
专利号 : ZL2006100739339
变更事项 : 专利权人
变更前 : 精工电子纳米科技有限公司
变更后 : 日本株式会社日立高新技术科学
变更事项 : 地址
变更前 : 日本千叶县
变更后 : 日本东京都
2010-10-13 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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