铟镓砷线列红外焦平面探测器
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。
基本信息
专利标题 ：
铟镓砷线列红外焦平面探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620048154.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-11-24
授权号 ：
CN201004463Y
授权日 ：
2008-01-09
发明人 ：
吴小利吕衍秋韩冰唐恒敬王妮丽储开慧龚海梅
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市玉田路500号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN200620048154.9
主分类号 ：
H01L27/144
IPC分类号 ：
H01L27/144
法律状态
2016-12-28 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101693577133
IPC(主分类) : H01L 27/144
专利号 : ZL2006200481549
申请日 : 20061124
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101693577133
IPC(主分类) : H01L 27/144
专利号 : ZL2006200481549
申请日 : 20061124
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 无
2008-01-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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