红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构
授权
摘要
本专利公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合，形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵，凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本专利的优点是：红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连，压力小，互连紧密，连通率高。该专利很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题，而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。
基本信息
专利标题 ：
红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020619621.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN212010988U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
朱建妹
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN202020619621.9
主分类号 ：
H01L31/02
IPC分类号 ：
H01L31/02 H01L31/101 H01L31/18
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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