一种碲镉汞芯片及红外焦平面探测器
授权
摘要
本实用新型提出了一种碲镉汞芯片及红外焦平面探测器，根据本实用新型的碲镉汞芯片，包括：碲镉汞层和电路层，碲镉汞层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设有P型电极，第二表面设有N型电极，电路层与P型电极和N型电极均连接。根据本实用新型的碲镉汞芯片，通过将P型电极和N型电极分别设置在碲镉汞层的相对的第一表面和第二表面上，便于碲镉汞芯片的加工，且便于对碲镉汞芯片的检测和维修。而且，有利于提高电场的均匀性，降低响应率的非均匀性，从而提高了红外焦平面的探测性能。另外，大幅提高了探测器注入区面积及占空比，从而提高红外探测器的探测能力。
基本信息
专利标题 ：
一种碲镉汞芯片及红外焦平面探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920933826.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN209963060U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
张轶刘世光李春领
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
焉明涛
优先权 ：
CN201920933826.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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