一种用于生成化合物材料薄膜的源装置
专利权的终止
摘要

一种用于生成化合物材料薄膜的源装置,属于真空技术领域。其结构包括真空法兰、气体活化源及粒子源,气体活化源一端连接有气体活化源用气体管,气体活化源另一端设有粒子源,在粒子源与气体活化源之间沿粒子源轴线设有外延管路。本实用新型的有益效果:可以将使用金属或非金属粒子源和气体活化源为材料源形成化合物过程中,金属或非金属粒子和活化气体粒子的有效化合碰撞最大化;增大粒子间的化合程度,同时可以使金属或非金属粒子和活化气体粒子形成化合物薄膜的成膜过程更容易地进行控制。

基本信息
专利标题 :
一种用于生成化合物材料薄膜的源装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620152796.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-11-30
授权号 :
CN200985344Y
授权日 :
2007-12-05
发明人 :
王晓光
申请人 :
沈阳华迅真空科技有限公司
申请人地址 :
110168辽宁省沈阳市浑南新区飞云路18号
代理机构 :
沈阳东大专利代理有限公司
代理人 :
李运萍
优先权 :
CN200620152796.3
主分类号 :
C23C14/22
IPC分类号 :
C23C14/22  C23C14/34  C23C14/24  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2011-02-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037105744
IPC(主分类) : C23C 14/22
专利号 : ZL2006201527963
申请日 : 20061130
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20091230
2007-12-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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