绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型涉及绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置，绝缘介质为隔断的两个对称的真空室上均装有排气口，真空室内分别装有高压电极和地电极，绝缘介质置于高压电极和地电极之间，且与高压电板面接触，与地电极之间留有间隙，装有高压电极的真空室上的排气口上装有截止阀，装有地电极的真空室上开有入气孔。本实用新型利用介质阻挡放电等离子体沉积薄膜，具有其独特的优势：如放电方式简单，设备成本低；放电室气体间隙小(通常几毫米)，气体体积小，气体流量低；能耗低等。本实用新型特别是适用于玻璃、聚酯、石英介质，可在这些介质上进行薄膜沉积。
基本信息
专利标题 ：
绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620153410.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-01
授权号 ：
CN200996044Y
授权日 ：
2007-12-26
发明人 ：
刘东平古建中冯志庆
申请人 ：
大连民族学院光电子技术研究所
申请人地址 ：
116600辽宁省大连市经济技术开发区辽河西路18号
代理机构 ：
大连科技专利代理有限责任公司
代理人 ：
于忠晶
优先权 ：
CN200620153410.0
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/513 C03C17/245
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2010-02-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-12-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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