制造具有减小的像素串扰的图像传感器设备的方法
专利权的终止
摘要
一种制造图像传感器设备(5)的方法，该图像传感器设备将辐射(1)的强度转换为取决于所述光强度的电流(i1，i2)，其包括在真空沉积设备中的下述步骤：在介电的绝缘表面上沉积导电衬垫(7a，7b)的矩阵作为背面电接触，等离子体辅助暴露所述带有衬垫的表面给不加入包含硅的气体的施主供给气体，沉积来自硅供给气体的本征硅层(15)，沉积掺杂层(17)并布置对于所述辐射(1)为透明的导电层(19)作为前面接触。所述制造图像传感器设备的方法和所述图像传感器设备避免了现有技术的缺点。这意味着本发明的图像传感器设备具有良好的欧姆接触，低的暗电流，没有像素串扰以及可再现的制造工艺。
基本信息
专利标题 ：
制造具有减小的像素串扰的图像传感器设备的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128933A
申请号 ：
CN200680006212.4
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·－B·彻夫里尔O·萨拉斯卡E·特洛特
申请人 ：
OC欧瑞康巴尔斯公司
申请人地址 ：
列支敦士登巴尔策斯
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王庆海
优先权 ：
CN200680006212.4
主分类号 ：
H01L27/142
IPC分类号 ：
H01L27/142 H01L27/148 H01L27/146 H01L31/00
法律状态
2012-04-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101230109837
IPC(主分类) : H01L 27/142
专利号 : ZL2006800062124
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20110222
号牌文件序号 : 101230109837
IPC(主分类) : H01L 27/142
专利号 : ZL2006800062124
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20110222
2010-05-19 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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