具有温度传感装置的MOSFET

专利权的终止

摘要

一种晶体管(1)，具有集成在晶体管中的FET(2)和温度传感二极管(4)。栅极驱动电路(12)被设置成断开FET(2)，因而在这种情形下偏置电路(14)驱动恒电流流过二极管(4)。通过电压传感器(15)测量二极管(4)两端的电压，提供对FET温度值的测量。

基本信息

专利标题：

具有温度传感装置的MOSFET

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101156243A

申请号：

CN200680008339.X

公开（公告）日：

2008-04-02

申请日：

2006-03-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

基思·赫彭斯托尔亚当·布朗艾德里安·高伊恩·肯尼迪

申请人：

NXP股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200680008339.X

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2019-03-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20180314

2017-04-26 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101750511717
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL200680008339X
变更事项 : 专利权人
变更前 : 耐智亚有限公司
变更后 : 安世有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后 : 荷兰奈梅亨

2016-10-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101740127821
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL200680008339X
登记生效日 : 20160920
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NXP股份有限公司
变更后权利人 : 耐智亚有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬

2009-12-02 ：

授权

2008-05-28 ：

实质审查的生效

2008-04-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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