成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要

在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时,通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率,能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理,使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下,成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室,使预先配置在该处理室内的Dy蒸发,在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序,以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室,在该磁铁达到规定温度之前,利用处理室内和磁铁之间的温差,使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。

基本信息
专利标题 :
成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101163814A
申请号 :
CN200680008726.3
公开(公告)日 :
2008-04-16
申请日 :
2006-03-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
永田浩新垣良憲
申请人 :
株式会社爱发科
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人 :
齐永红
优先权 :
CN200680008726.3
主分类号 :
C23C14/54
IPC分类号 :
C23C14/54  C23C14/22  H01F1/053  H01F10/12  H01F41/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2012-03-14 :
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101296924605
IPC(主分类) : C23C 14/54
专利申请号 : 2006800087263
公开日 : 20080416
2008-06-11 :
实质审查的生效
2008-04-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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