电子器件及其使用
专利权的终止
摘要

集成电容器结构包括具有第一电容器(60)的第一支路和具有第二电容器(70)的第二支路。第二电容器(70)具有比第一电容器(60)高的电容密度及低的击穿电压。第一支路具有比第二支路短的RC时间常数,从而电压峰值将实质上跟随第一支路。该第一电容器(60)具有足够的电容以存储电压峰值的电荷。在一个实施例中,第二电容器(70)是叠置电容器。该结构适于ESD保护,并且为此可以额外包括二极管(21)和电阻器(22)。

基本信息
专利标题 :
电子器件及其使用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101171687A
申请号 :
CN200680014825.2
公开(公告)日 :
2008-04-30
申请日 :
2006-02-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马雷克·克莱赖纳·基维特乌尔里希·席贝尔汉斯-沃尔夫冈·布兰德吕迪格·毛佐克
申请人 :
NXP股份有限公司
申请人地址 :
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
朱进桂
优先权 :
CN200680014825.2
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L27/08  H01L23/522  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2015-04-15 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605904672
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006800148252
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20100120
终止日期 : 20140227
2010-01-20 :
授权
2008-06-25 :
实质审查的生效
2008-04-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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