一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置,热电堆与冷、热端导热铜块固定一体,其下部形成空腔,空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端;电位探针,检测点、热电偶分别与采集模块相连;参考电阻与转换开关串接,并与检测点相连;恒流源与转换开关相连;转换开关与数据采集模块相连;采集模块与计算机相连,采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分,上部分固定测试组件,下部分支撑样品,并有螺杆向上抬升样品,实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜,并且测试过程简单,装置和测试成本较低。

基本信息
专利标题 :
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720084694.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-05-11
授权号 :
CN201041559Y
授权日 :
2008-03-26
发明人 :
杨君友肖承京朱文鲍思前樊希安段兴凯张亲亲李良彪李凯张同俊
申请人 :
华中科技大学
申请人地址 :
430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号
代理机构 :
华中科技大学专利中心
代理人 :
曹葆青
优先权 :
CN200720084694.7
主分类号 :
G01N27/18
IPC分类号 :
G01N27/18  G01N27/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
法律状态
2012-07-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101288712090
IPC(主分类) : G01N 27/18
专利号 : ZL2007200846947
申请日 : 20070511
授权公告日 : 20080326
终止日期 : 20110511
2008-03-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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