本发明公布了一种生长于透明基底的半导体薄膜材料吸收系数的优化计算方法。计算过程包括如下步骤：首先通过紫外‑可见分光光度计对半导体电极进行紫外‑可见吸收光谱和反射光谱的测试，然后利用反射光谱对测得的吸收值进行修正。接下来通过对吸收值进行Min‑Max标准化处理使其更符合实际，最后利用吸收系数与吸收值的关系推导出纯半导体薄膜的吸收系数。本发明主要通过紫外‑可见吸收光谱、反射光谱优化计算纯半导体薄膜的吸收系数，提出了一种计算纯半导体薄膜吸收系数的方法，该种方法可以应用到任何半导体薄膜电极，为准确计算半导体薄膜的吸收系数提供了依据。