微机电透明基底与其制程
授权
摘要
本发明提供一种微机电透明基底与其制程,其具有微机电系统位于其第一侧上,包括:形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上,不透明层包括第一材料,第一材料可由微机电系统释放制程移除;以及形成第二层于不透明层上,第二层包括第二材料,以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程,可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面,且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染,增加在预防性的维护操作间的生产片数,再者,可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤,且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响,从而减少成本。
基本信息
专利标题 :
微机电透明基底与其制程
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1817782A
申请号 :
CN200510127725.8
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2005-12-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈斐筠朱翁驹张毓华何大椿
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN200510127725.8
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00 H01L21/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2009-09-09 :
授权
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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