用于薄膜晶体管的N型半导体材料
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10－苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的取代或未取代的苯基烷基基团。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
基本信息
专利标题 ：
用于薄膜晶体管的N型半导体材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084590A
申请号 ：
CN200580044132.3
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·舒克拉D·C·弗里曼S·F·纳尔逊
申请人 ：
伊斯曼柯达公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN200580044132.3
主分类号 ：
H01L51/30
IPC分类号 ：
H01L51/30
法律状态
2019-11-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 51/30
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20120530
终止日期 : 20181206
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20120530
终止日期 : 20181206
2012-05-30 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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