用于薄膜晶体管的N型半导体材料
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10－苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的由一个或多个含氟基团取代的碳环或杂环芳环体系。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造ac薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
基本信息
专利标题 ：
用于薄膜晶体管的N型半导体材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084589A
申请号 ：
CN200580043297.9
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·舒克拉D·C·弗里曼S·F·奈尔逊
申请人 ：
伊斯曼柯达公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN200580043297.9
主分类号 ：
H01L51/30
IPC分类号 ：
H01L51/30
法律状态
2011-09-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101189699460
IPC(主分类) : H01L 51/30
专利申请号 : 2005800432979
公开日 : 20071205
号牌文件序号 : 101189699460
IPC(主分类) : H01L 51/30
专利申请号 : 2005800432979
公开日 : 20071205
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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