萤石基材料薄膜和包括其的半导体器件
公开
摘要
提供一种萤石基材料薄膜，其包括：具有对称段和非对称段的正交晶体结构；以及至少两个具有不同的极化方向的畴。在畴之间的壁处不存在对称段，或者对称段中的至少两个是连续相邻的。还提供了包括具有正交晶体结构的萤石基材料薄膜的半导体器件。萤石基材料薄膜的极化方向被配置为通过对称段和非对称段之间的结构转变而改变。
基本信息
专利标题 ：
萤石基材料薄膜和包括其的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582967A
申请号 ：
CN202111439345.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔德铉许镇盛
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111439345.3
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/78
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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