真空/可控气氛共晶炉

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种真空/可控气氛共晶炉，可用于微电子封装、混合微电子电路组装、LED封装等领域，包括炉体、真空抽气系统、加热系统、充气气路系统和控制电路，炉体(4)上的炉盖(3)下表面装有密封圈(12)，炉盖(3)中设置有冷却腔(11)和进水嘴(9)，在炉底的热板石墨夹具(14)下方的炉体(4)内底部装有石英灯(18)，在石英灯(18)与炉体(4)之间设置有紧固螺母(20)层叠压合的密封圈(23)、楔形环(22)、密封圈(26)、铜垫片(21)；炉体(4)底部设置有冷却腔(24)、进气嘴(17)、分气管(16)、真空管(25)，可进行多芯片一次共晶、阶梯共晶、在惰性气氛保护下共晶工艺过程。

基本信息

专利标题：

真空/可控气氛共晶炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720102438.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-03

授权号：

CN201143585Y

授权日：

2008-11-05

发明人：

侯一雪乔海灵王晓奎王贵平田芳杨凯骏张建宏霍灼琴王海珍井文丽

申请人：

中国电子科技集团公司第二研究所

申请人地址：

030024山西省太原市和平南路115号

代理机构：

山西科贝律师事务所

代理人：

陈奇

优先权：

CN200720102438.6

主分类号：

B23K1/008

IPC分类号：

B23K1/008 B23K3/04 B23K3/08