移载容器及应用于移载容器的导电结构
专利权的终止
摘要

本实用新型是有关于一种移载容器及应用于移载容器的导电结构,特别是指一种可防止静电产生、且导出静电的移载容器导电结构,该移载容器包含一底座及一壳罩,壳罩可选择性覆盖于底座上形成一置放物件的容置空间,且底座及壳罩与物件间并形成有至少一供静电导通的通路,而导电结构是底座底面,其具有一可与该通路连接、且向下凸出的导电柱,该导电柱并具有一可产生回复预力的弹性件,使得移载容器置于金属工作平台时,可确保移载容器内与物件上的静电可经由该导电柱导出,防止移载容器与物件残留静电,达到减少微粒等有害物质附着于光罩或晶圆等物件表面的目的。

基本信息
专利标题 :
移载容器及应用于移载容器的导电结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720127318.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-08-10
授权号 :
CN201112366Y
授权日 :
2008-09-10
发明人 :
廖莉雯陈俐慇卢诗文蔡铭贵
申请人 :
亿尚精密工业股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾高雄县
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200720127318.1
主分类号 :
H01L21/673
IPC分类号 :
H01L21/673  H01L21/677  G03F1/00  G03F7/20  H05F3/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2010-11-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101014885954
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2007201273181
申请日 : 20070810
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20090910
2008-09-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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