硅片电镀用的科研实验系统
避免重复授权放弃专利权
摘要
硅片电镀用的科研实验系统属于硅片微细加工装置技术领域,其特征在于,用一个沿着电镀槽宽度方向固定于电镀槽内壁的支撑板相对地固定阳极和阴极,从而在该支撑板和电镀槽底板之间形成一个供电镀工作区电镀液流动的通道,螺旋桨在沿着电镀槽长度方向一侧设立的电机带动下,使得电镀液通过所述通道流向电镀槽长度方向的另一侧,再通过沿着电镀槽长度方向从电极外侧固定在所述匀流板上的多个圆孔,使电镀液在电镀工作区内流速上下一致地流过挂在阴极上的硅片的表面,再通过另一块匀流板上的通孔流出,使得硅片上得到均匀的镀层。所述科研实验系统填充了硅片电镀的空白,满足了科学研究的需要。
基本信息
专利标题 :
硅片电镀用的科研实验系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720191011.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-12-28
授权号 :
CN201144295Y
授权日 :
2008-11-05
发明人 :
王水弟蔡坚彭霄贾松良
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
100084北京市100084-82信箱
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200720191011.8
主分类号 :
C25D7/12
IPC分类号 :
C25D7/12 C25D17/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2011-01-12 :
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101061272978
IPC(主分类) : C25D 7/12
专利号 : ZL2007201910118
申请日 : 20071228
授权公告日 : 20081105
放弃生效日 : 20071228
号牌文件序号 : 101061272978
IPC(主分类) : C25D 7/12
专利号 : ZL2007201910118
申请日 : 20071228
授权公告日 : 20081105
放弃生效日 : 20071228
2008-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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