全向式发光二极管结构
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种全向式发光二极管结构，包括有至少二导电支架及至少一发光芯片。各导电支架上端形成一结合部；该发光芯片设于至少二导电支架的结合部，而该发光芯片与至少二导电支架的结合部电性连接，使该发光芯片呈悬空状；由此，使整体形成具有360度全向发光及稳固定位的全向式发光二极管结构。
基本信息
专利标题 ：
全向式发光二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720193482.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-11-22
授权号 ：
CN201153121Y
授权日 ：
2008-11-19
发明人 ：
吴庆辉吴庆谟吴志贤
申请人 ：
东贝光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈肖梅
优先权 ：
CN200720193482.2
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 H01L33/00 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2017-12-26 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 25/00
申请日 : 20071122
授权公告日 : 20081119
申请日 : 20071122
授权公告日 : 20081119
2008-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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