压力温度合成传感器结构
专利权的终止
摘要

本实用新型是压力温度合成传感器结构,其结构是温度敏感元件安装在插入测量探杆中,插入测量探杆的温度敏感元件的孔中灌入导热镁粉;压力敏感芯体和安装接口间用激光焊接连接,压力源通过压力进口和压力通道作用在压力敏感芯体上;胶木支架粘接在安装接口上,信号处理电路和胶木支架粘接;壳体和安装接口之间采用氩弧焊接,壳体内部灌封硅胶;输出引线连接处理电路和输出航空插座,输出航空插座固定在壳体上。优点:可同时测量压力与温度信号,压力由放大电路转换为标准信号输出,温度为阻值输出。体积小、重量轻,全不锈钢焊接结构,耐压防腐蚀;内部填充硅胶,抗震性能好,可靠性高。压力测量口采用横向收集方式,温度敏感元件置于探杆内部。

基本信息
专利标题 :
压力温度合成传感器结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820030464.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-07
授权号 :
CN201138215Y
授权日 :
2008-10-22
发明人 :
陈新
申请人 :
南京高华科技有限公司
申请人地址 :
210028江苏省南京市华电路1号
代理机构 :
南京君陶专利商标代理有限公司
代理人 :
沈根水
优先权 :
CN200820030464.7
主分类号 :
G01D21/02
IPC分类号 :
G01D21/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01D
非专用于特定变量的测量;不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置;计费设备;非专用于特定变量的传输或转换装置;未列入其他类目的测量或测试
G01D21/00
未列入其他类目的测量或测试
G01D21/02
用不包括在其他单个小类中的装置来测量两个或更多个变量
法律状态
2018-01-30 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : G01D 21/02
申请日 : 20080107
授权公告日 : 20081022
2008-10-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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