激光二极管列阵的封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型提供了一种激光二极管列阵的封装结构,包括电隔离层、半导体芯片、正极热沉和负极,其中半导体芯片的正极面和正极热沉连接在一起,负极面和负极连接在一起;电隔离层正面的金属化层被划分为正极区和负极区,所述正极热沉连接在电隔离层正面的正极区,负极连接在电隔离层正面的负极区。通过这样的封装结构,就在多级激光二极管列阵进行串联时,使多级半导体芯片的正极同时分布在一侧,而负极分布于另一侧,从而使得所有的发光区位于同一条线上,易于对多级输出光进行统一的光变换,简化了操作程度。
基本信息
专利标题 :
激光二极管列阵的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820078671.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-22
授权号 :
CN201171142Y
授权日 :
2008-12-24
发明人 :
方高瞻刘志刚
申请人 :
北京吉泰基业科技有限公司
申请人地址 :
102206北京市昌平区昌平路202号京昌高科技信息产业园一号厂房二层
代理机构 :
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 :
郑立明
优先权 :
CN200820078671.X
主分类号 :
H01S5/40
IPC分类号 :
H01S5/40 H01S5/022 H01S5/024 H01S5/00
法律状态
2015-03-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601565845
IPC(主分类) : H01S 5/40
专利号 : ZL200820078671X
申请日 : 20080122
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20140122
号牌文件序号 : 101601565845
IPC(主分类) : H01S 5/40
专利号 : ZL200820078671X
申请日 : 20080122
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20140122
2008-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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