一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路

专利权的终止

摘要

本实用新型提供了一种源跟随器包括一NMOS晶体管和电流源，其特征在于所述的NMOS的栅极作为输入端，漏极连接电源，源极连接电流源，电流源接地，NMOS的衬底和NMOS源极短接。本实用新型还提供了一种源跟随器的工艺结构，包括P衬底、P阱、P扩散以及N扩散，其特征在于采用独立的N阱、N埋层、P埋层将P衬底同P扩散隔离开，实现NMOS的P阱电位和源极的连接。本实用新型所述的源跟随器能够减小体效应，减小源漏电压，该源跟随器适合低电压工作。

基本信息

专利标题：

一种源跟随器及其工艺结构，及共模电平平移电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820166833.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-22

授权号：

CN201319583Y

授权日：

2009-09-30

发明人：

潘华兵

申请人：

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址：

310012浙江省杭州市黄姑山路4号(高新区)

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200820166833.5

主分类号：

H03F3/50

IPC分类号：

H03F3/50

法律状态

2018-11-16 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H03F 3/50
申请日 : 20081022
授权公告日 : 20090930

2009-09-30 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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