新型高压二极管
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种新型高压二极管,包括管体、芯片,芯片为8层低电阻率芯片形式。本实用新型结构合理,产品具有高度的抗反向浪涌能力,极低的正向通态电压降,特别适宜在微波炉等高压大电流工作环境的高压二极管器件的生产。

基本信息
专利标题 :
新型高压二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820186262.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-10-17
授权号 :
CN201282145Y
授权日 :
2009-07-29
发明人 :
王志敏
申请人 :
王志敏
申请人地址 :
226500江苏省如皋市柴湾工业园区大昌电子公司
代理机构 :
南通市永通专利事务所
代理人 :
葛 雷
优先权 :
CN200820186262.1
主分类号 :
H01L29/861
IPC分类号 :
H01L29/861  H01L23/31  
法律状态
2015-12-02 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636283898
IPC(主分类) : H01L 29/861
专利号 : ZL2008201862621
申请日 : 20081017
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20141017
2010-09-08 :
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007251498
IPC(主分类) : H01L 29/861
专利申请号 : 2008201862621
专利号 : ZL2008201862621
合同备案号 : 2010320000900
让与人 : 王志敏
受让人 : 如皋市大昌电子有限公司
实用新型名称 : 新型高压二极管
申请日 : 20081017
授权公告日 : 20090729
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20100712
2009-07-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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