一种耐高压SiC PIN二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种耐高压SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；耐压提高层的下侧面连接至N型本征层的上侧面，所述耐压提高层的材料为金刚石或二氧化硅；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至耐压提高层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压能力。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高压SiC PIN二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122420465.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
CN216213469U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张瑜洁施广彦李佳帅李志君黄波
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202122420465.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/868 H01L21/329
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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